Samsung Electronics: Massenproduktion für 512-Gigabyte Flash-Speicher angelaufen
DRAMs und NAND-Flash Speicher
Nun startet die Massenfertigung von riesigen Flash-Speichern für Mobiltelefone. Ein sich immer weiter steigendes Datenvolumen durch Multimedia-Inhalte im Mobilfunkbereich macht größere Speicher in Smartphones unumgänglich.
Die Samsung Electronics Co. Ltd. ist der weltweite Marktführer für Speicherlösungen, insbesondere bei DRAMs und NAND Flash Memory Chips. Die Südkoreaner erwirtschaften rund 38 Prozent des gesamten weltweiten NAND Flash Memory Chip Umsatzes.
Die neuen Speicherkarten von Samsung Electronics mit der Bezeichnung Embedded Universal Flash Storage (eUFS) haben eine Speicherkapazität von 512 Gigabyte (GB).
Die Karten basieren auf der 512-GB V-NAND-Chiplösung mit 64 Lagen und einem Controller-Chip. Verwendung finden sollen die neuen Super-Speicher in hochwertigen Mobiltelefonen der nächsten Generation.
“Das neue Samsung 512GB eUFS bietet die beste Embedded-Speicherlösung für Premium-Smartphones der nächsten Generation, indem es potenzielle Einschränkungen der Systemleistung überwindet, die bei der Verwendung von Micro-SD-Karten auftreten können.“, sagt Jaesoo Han, Executive Vice President der Sparte Memory Sales & Marketing bei Samsung Electronics.
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