Samsung Electronics: Massenproduktion für 512-Gigabyte Flash-Speicher angelaufen

DRAMs und NAND-Flash Speicher

Dienstag, 5. Dezember 2017 um 16:50

Eine im Controller integrierte proprietäre Powermanagement-Technologie soll den zunehmenden Energieverbrauch der neuen Speicherlösung minimieren. Zudem wurden die Lese- und Schreibgeschwindigkeiten auf bis zu 860 Megabyte pro Sekunde (MB/s) bzw. 255 MB/s gesteigert.

Abgelöst werden damit die bisherigen Flaggschiff-Speicher und 48-Lagen-V-NAND 256GB eUFS, die eine gleichgroßen Platzbedarf haben. Allerdings soll auch die Produktion von 256GB V-NAND Speichern hochgefahren werden, die aktuell in Mobilfunkgeräten, SSDs und austauschbaren Speicherkarten eingesetzt werden.

Die Samsung Electronics Co. Ltd. hatte im Vorfeld bereits angekündigt, rund sieben Mrd. US-Dollar in die Produktion von NAND-Chips in Xi’an, China investieren zu wollen.

Bis 2021 will man zudem rund 14,4 Billionen Koreanische Won in die neue NAND-Fertigungsstätte in Pyeongtaek investieren. Weitere sechs Billionen Won sollen in die neue Halbleiter-Produktionslinie in Hwaseong fließen.

Die Halbleitersparte war zuletzt auch für das gute Abschneiden bei den Quartalszahlen von Samsung Electronics verantwortlich. (lim/rem)

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