Samsung beginnt den Bau einer Speicherproduktionsstätte

XI`AN (IT-Times) - Samsung Electronics Co. Ltd. hat gestern mit dem Bau einer Speicherproduktionsstätte in Xi'an (China) begonnen. Dort sollen NAND-Flash-Memory-Chips in 10-Nanometer Technologie produziert werden.

Die NAND-Flash-Memory-Chips sind Bauteile für IT- und Mobilfunkgeräte. Sie werden in High-Speed- und Large-Density-Versionen benötigt. Die Produktionsstätte soll planmäßig 2014 das volle Produktionsvolumen erreichen. Die Investition in dieser Halbleiterfabrik belief sich zunächst auf 2,3 Mrd. US-Dollar. Damit stelle Samsung China Semiconductor die größte Investition von Samsung in China mit stufenweise erfolgenden Gesamtinvestitionen von sieben Mrd. Dollar. Die neue Produktionsstätte soll dabei helfen, das internationale Produktionsnetz gleichmäßig auszulasten.