Samsung baut Flash-Speicher mit 128 Gigabyte

SEOUL - Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung (WKN: 881823) plant offenbar, NAND-Flash-Chips mit einer Kapazität von 64 Gigabyte zu produzieren. Ab 2009 sollen diese dann erhältlich sein.

Mit Hilfe der 30-Nanometer-Fertigung sei es Samsung dann möglich, Speicherkarten zu produzieren, die über einen Gesamtspeicher von 128 Gigabyte verfügen. Rund 16 NAND-Flash-Chips mit je acht Gigabyte sollen dann auf einer Speicherkarte Platz finden. Neben der 30-Nanometer-Fertigung soll die Self-Aligned Double Patterning Technology (SaDPT) zum Einsatz kommen, welches eine bessere Nutzung von vorhandenen räumlichen Ressourcen auf den Chips zulässt.