Micron Technology investiert 3,6 Mrd. Dollar in EUV-Speicherchip-Technologie in Japan

DRAM- und Flash-Speichher

Sonntag, 21. Mai 2023 um 15:55

Der 1-Gamma-Knoten von Micron folgt auf den 1-Beta-Knoten des Unternehmens, von dem Micron im vergangenen November Muster an Hersteller von Mobiltelefonen geliefert hat.

Das Unternehmen hat nun mit der Auslieferung seiner in Hiroshima hergestellten 1-beta-basierten Speicher an Industrie-, Automobil- und Verbraucherkunden in Asien, den USA und Europa begonnen.

Die verschiedenen Standorte von Micron in Japan, darunter auch die Produktionsstätte in Hiroshima, sind von zentraler Bedeutung für die Forschungs- und Entwicklungsplanung - und die Massenproduktion - der DRAM-Technologie von Micron für alle seine Produktlinien.

Micron Technology liefert etwa ein Drittel der DRAMs, die Japan in kritischen Branchen wie der Automobilindustrie, der Medizintechnik, den Rechenzentren und der 5G-Infrastruktur einsetzt.

Die Investitionsankündigung erfolgte nach einem Treffen des japanischen Premierministers Fumio Kishida mit Führungskräften großer Chiphersteller wie Micron, TSMC, Samsung, Applied Materials, IBM, Intel und IMEC am Donnerstag in Japan.

In der Zwischenzeit ist Micron Technology in eine laufende Untersuchung in China verwickelt, die vor einem Monat von der Cybersicherheitsaufsichtsbehörde des Landes eingeleitet wurde.

Micron hat in den letzten fünf Jahren mehr als 1.500 neue Mitarbeiter in Japan eingestellt und zählt heute mehr als 4.000 Ingenieure und Techniker im Land der aufgehenden Sonne.

Am 20. Mai 2023 startete Micron eine amerikanisch-japanische Hochschulpartnerschaft zur Förderung von Arbeitskräften sowie Forschung und Entwicklung im Halbleiterbereich.

Die verschiedenen Standorte von Micron in Japan sind von zentraler Bedeutung für die Forschungs- und Entwicklungspläne des Unternehmens für seine hochmoderne DRAM-Technologie in allen Produktlinien, so Micron.

Micron Technology hat seit 2013 über 13 Mrd. US-Dollar in Japan investiert. Das Unternehmen will in Zukunft knapp zehn Prozent des weltweiten DRAM-Bedarfs in der Fertigung in Hiroshima produzieren. (ame/rem)

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Meldung gespeichert unter: Chips, Dynamic Random Access Memory (DRAM), NAND-Flash, Micron Technology, Halbleiter

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