Infineon sichert sich langfristig Siliziumkarbid-Wafer von Cree für Elektromobilität, PV und Industrie

Siliziumkarbid-Wafer

Mittwoch, 28. Februar 2018 19:53

Mit dem Einsatz von SiC-Bauelementen lassen sich im Vergleich zu Silizium-basierten Leistungshalbleitern Energie einsparen und höhere Systemdichten erzielen.

Anwendungsgebiete sind neben der Elektromobilität und Photovoltaik auch drehzahlveränderbare Antriebe, die industrielle Stromversorgung, Ladeinfrastruktur, Robotik und Traktionssysteme.

Im Februar 2017 hatte Infineon Technologies versucht, die Cree Leistungshalbleiter-Unit Wolfspeed für 850 Mio. US-Dollar zu übernehmen. Das Vorhaben aber scheiterte in den USA wegen Sicherheitsbedenken. (lim/rem)

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