Infineon sichert sich langfristig Siliziumkarbid-Wafer von Cree für Elektromobilität, PV und Industrie

Siliziumkarbid-Wafer

Mittwoch, 28. Februar 2018 19:53
Cree Unternehmenslogo

DURHAM/MÜNCHEN (IT-Times) - Der deutsche Chip-Hersteller Infineon Technologies AG hat einen über mehrere Jahre laufenden Liefervertrag für SiC-Wafer von Cree Inc. unterzeichnet.

Der deutsche Chip-Hersteller sichert sich damit die Weiterentwicklung von SiC-Produkten, die für Wachstumsmärkte wie Photovoltaik-Wechselrichter oder Elektromobilität gedacht sind.

"Wir schätzen Cree seit langer Zeit als starken und zuverlässigen Partner, der einen hervorragenden Ruf in der Branche genießt. Dank der langfristig gesicherten Versorgung mit SiC-Wafern können wir unsere strategischen Wachstumsfelder in der Automobil- und Industrieelektronik weiter stärken“, kommentierte Reinhard Ploss, CEO von Infineon, die neue Übereinkunft.

„Die beschleunigte Einführung von SiC-basierten Produkten wird maßgeblich dazu beitragen, schnellere, kleinere, leichtere und leistungsfähigere elektronische Systeme zu ermöglichen", fügte Gregg Lowe, CEO von Cree, hinzu.

Meldung gespeichert unter: Cree, Infineon Technologies, Halbleiter

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