STMicroelectronics und Hynix gründen Joint Venture

Dienstag, 16. November 2004 um 12:35
STM Microelectronics

STMicroelectronics (WKN: 897710): Der in der Schweiz ansässige Chiphersteller STMicroelectronics (ST) und der koreanische Produzent von DRAM- und SRAM-Chips Hynix gaben heute die Unterzeichnung eines Abkommens zur Gründung eines Joint Venture bekannt. Die beiden Unternehmen wollen in der chinesischen Jiangsu Provinz gemeinsam eine neue Produktionsstätte aufbauen. Hynix erhofft sich von der neuen Fabrik, in der vor allem DRAM und NAND Flash Produktion stattfinden wird, eine Profitsteigerung im Segment der DRAM Chipherstellung, während STMicroelectronics die NAND Flash-Kapazität ausbauen möchte. Hynix und STMircoelectronics hatten bereits vor der Gründung des Joint Venture zusammen NAND Flash-Chips entwickelt und produziert.

In der neu erbauten Fabrik sollen etwa 1.500 Mitarbeiter in zunächst zwei Produktionslinien beschäftigt werden. Eine 8-in. Wafer Linie soll 2006 mit der Produktion starten und 2007 dann eine 12-in. Wafer Produktionslinie mit der Herstellung beginnen. Jede Linie wird nach Angaben der Unternehmen etwa 20.000 Wafer monatlich produzieren.

Meldung gespeichert unter: SK Hynix, STMicroelectronics, Halbleiter

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