Qualcomm und Samsung arbeiten bei neuem Snapdragon 835 Chip zusammen

Quick Charge 4 umfasst zudem auch die dritte Generation von INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), wodurch die Betriebsspannung bzw. thermische Belastung effektiver gemanagt werden soll. Qualcomm führt zudem mit dem SMB1380 und dem SMB1381 zwei neue Power Management ICs  ein, wodurch Schnellladefunktionen unterstützt werden.

Der Snapdragon 835 befindet sich nach Qualcomm-Angaben bereits in der Produktion soll im ersten Halbjahr 2017 in den ersten Geräten zu finden sein. Der Snapdragon 835 gilt als Nachfolger des Snapdragon 820/21, der bereits in 200 Hardware-Designs zum Einsatz kommt.

Qualcomm konnte im jüngsten Quartal mehr Mobile-Chips ausliefern und verzeichnete dabei eine höhere Nachfrage aus China. (ami)