Patentstreit in der Halbleiterindustrie: Infineon verklagt Innoscience wegen GaN-Technologie in den USA

Die Infineon Technologies AG (ISIN: DE0006231004) gab heute bekannt, eine Klage gegen Innoscience (Zhuhai) Technology Company Ltd. und Innoscience America Inc. sowie verbundene Unternehmen eingereicht zu haben.

Die Klage wegen Patentrechtsverletzung wurde von der Tochtergesellschaft Infineon Technologies Austria AG beim Bezirksgericht des Central District of California eingereicht.

Infineon Technologies beantragt eine einstweilige Verfügung wegen Verletzung eines US-Patents im Zusammenhang mit der Galliumnitrid-Technologie (GaN) von Infineon.

Die Patentansprüche decken Kernaspekte von GaN-Leistungshalbleitern ab und umfassen Innovationen, die die Zuverlässigkeit und Leistung der proprietären GaN-Geräte von Infineon ermöglichen, hieß es.

Infineon behauptet, dass Innoscience das oben genannte Infineon-Patent verletzt, indem es verschiedene Produkte herstellt, verwendet, verkauft, zum Verkauf anbietet und/oder in die Vereinigten Staaten importiert.

Dazu gehören GaN-Transistoren für zahlreiche Anwendungen in den Bereichen Automobil, Rechenzentren, Solar, Motorantriebe und Verbraucherelektronik sowie verwandte Produkte für Automobil-, Industrie- und Gewerbeanwendungen.

„Die Produktion von Galliumnitrid-Leistungstransistoren erfordert völlig neue Halbleiterdesigns und -prozesse“, sagt Adam White, Präsident der Power & Sensor Systems Division von Infineon.
Infineon hat fast zwei Jahrzehnte Erfahrung mit der GaN-Technologie und investiert seit vielen Jahren in Forschung und Entwicklung, Produktentwicklung und Fertigungskompetenz. Mit der Klage soll das geistige Eigentum geschützt werden.

Am 24. Oktober 2023 gab Infineon Technologies den Abschluss der Übernahme von GaN Systems Inc. bekannt, wodurch die Position bei der GaN-Technologie und bei Leistungshalbleitern weiter gestärkt wurde.