IBM entwickelt revolutionäre Speichertechnik - 100 Mal schneller als Flash

ZÜRICH (IT-Times) - Pünktlich zum 100-jährigen Geburtstag hat der US-Technologiekonzern IBM eine neue Speichertechnik demonstriert, die um 100 Mal schneller sein soll als Flash.

Durch die neue Speichertechnik Phase-Change-Memory (PCM) sollen Daten auf den Speicher 100 Mal schneller gelesen und geschrieben werden können, als dies bei Flashspeichern der Fall ist, versprechen die IBM-Forscher. Gleichzeitig sei die neue Speichertechnik auch enorm zuverlässig. IBM geht von zehn Millionen Schreibzyklen aus, ohne dass Performance-Einbußen zu erwarten sind. Bei Flash-Speichern seien lediglich tausende Schreibzyklen möglich, bevor es zu Einbußen kommt, wie es heißt.