Aixtron: Siltronic bestellt MOCVD-Anlage für GaN-Wafer Aktivitäten

RF, Leistungselektronikbauelemente und Schaltkreise ermöglichen hohe Schaltfrequenzen und ein effizientes Energiemanagement mit hohen Leistungsdichten.

Diese Eigenschaften sind unter anderem für schnell wachsende Anwendungen wie Server-Farmen, Erneuerbare Energien und die nächste Generation von Mobilfunknetzen (5G) erforderlich.

„Der GaN-on-Si-Markt ist ein wichtiges zukünftiges Wachstumsfeld“, sagt Dr. Christoph von Plotho, CEO der Siltronic AG. Neben dem kleineren Formfaktor ist GaN-on-Si auch für Schnellladegeräte und die Elektrifizierung von Fahrzeugen einsetzbar.

Bereits Anfang des Monats meldete Aixtron eine Order für eine MOCVD-Anlage von Azur Space aus Deutschland. Die Aktie von Aixtron wurde zudem in den MDax-aufgenommen. (lim/rem)