Infineon und japanische Panasonic entwickeln 2. Generation von Leistungshalbleitern auf GaN-Basis
Halbleiter: Chip-Hersteller
Die Infineon Technologies AG und die Panasonic Corp. aus Japan teilten heute mit, eine Vereinbarung für die gemeinsame Entwicklung und Herstellung der zweiten Generation (Gen2) ihrer Galliumnitrid-(GaN-)Technologie geschlossen zu haben.
Der weltweite Bedarf an GaN-Leistungshalbleitern steigt mit immer mehr Anwendungen. Gen2 soll mehr Leistungsdichte bieten, anwenderfreundlicher sein und ein besseres Preis-Leistungs-Verhältnis haben.
Leistungshalbleiter eignen sich unter anderem für Hoch- und Niedrigleistungs- SMPS-Anwendungen, Erneuerbare Energien und Anwendungen zur Steuerung des Motorantriebs bei Fahrzeugen.
Bei vielen Designs bietet die Galliumnitrid (GaN) –Technologie wesentliche Vorzüge gegenüber Silizium-MOSFETs, insbesondere für Hochgeschwindigkeits-Schaltvorgänge.
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