Infineon und japanische Panasonic entwickeln 2. Generation von Leistungshalbleitern auf GaN-Basis

Infineon erhofft sich von der Technologie Stromeinsparungen und eine Senkung der Gesamtsystemkosten, den Betrieb bei höheren Frequenzen, eine verbesserte Leistungsdichte sowie eine optimierte Gesamtsystemeffizienz.

„Neben den gleichen hohen Zuverlässigkeitsstandards wie für Gen1 profitieren die Kunden der neuen Generation von einer noch einfacheren Steuerung des Transistors sowie einer wesentlich besseren Kostenposition durch die Umstellung auf eine 8-Zoll-Waferfertigung,“ sagt Andreas Urschitz, Divisionspräsident Power and Sensor Systems bei Infineon Technologies.

„Wir freuen uns über die Erweiterung unserer Partnerschaft und Zusammenarbeit mit Infineon bei GaN-Komponenten. Im Rahmen des gemeinsamen Konzepts können wir Gen1- und Gen2-Bauteile mit hoher Qualität und auf der Basis neuester innovativer Entwicklungen anwenden, ergänzte Tetsuzo Ueda, Associate Director der Engineering Division in der Industrial Solutions Company der Panasonic Corporation.

Infineon und Panasonic haben die Markteinführung der neuen Bauteile für das erste Halbjahr 2023 vorgesehen. (lim/rem)