Hynix entwickelt schnellsten DRAM-Mobilfunkchip

Dienstag, 5. Dezember 2006 00:00

SEOUL - Der südkoreanische Halbleiter- und DRAM-Spezialist Hynix Semiconductor (WKN: A0HGYA<HY9H.FSE>) reklamiert einen neuen Rekord für sich. Demnach hat das Unternehmen eigenen Angaben zufolge den weltweit kleinsten und schnellsten 512 DRAM-Speicher für Mobiltelefone entwickelt.

Die Datenverarbeitungsgeschwindigkeit des neuen DRAM-Chips (Dynamic Random Access Memory) sei um 1,5 Mal schneller als die aktuelle Produktgeneration des Unternehmens, heißt es. Mit einer Größe von 0,4 Zoll und einer Verarbeitungsgeschwindigkeit von 1,6 GB pro Sekunde bei 200 Megahertz sei der Halbleiter derzeit der kleinste Chip und damit ideal für die neue ultra-flache Handy-Generation geeignet, heißt es bei Hynix. Der neue Chip soll damit bereits die Anforderungen für 3G-Mobiltelefone erfüllen, die neue Services wie Multimedia-Broadcasting bieten könnten.

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