Aixtron: Auftrag von Sumitomo Electric für Hochfrequenz-Bauelemente aus Japan

Der japanische Konzern Sumitomo hatte Aixtron damit beauftragt, eine Anlage für die Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid (GaN-on-SiC) - Wafer-Produktionstechnologie zu liefern.

Eine steigende Nachfrage bei Anwendungen für den RF-Datentransfer mache dies erforderlich. Geliefert wurde eine MOCVD-Anlage mit 4-Zoll-Waferkonfiguration an die Sumitomo Electric Device Innovations Inc.

Produziert werden sollen damit GaN-on-SiC - Bauelemente für Anwendungen im Bereich Funk-Datentransfer und 5G Mobilfunknetze. Die MOCVD-Anlage sei bereits seit dem vierten Quartal 2016 in Betrieb.