STMicroelectronics schließt Kooperation mit Soitec bei der Produktionstechnologie für SiC-Substrate
Halbleiter: Chip-Hersteller
STMicroelectronics N.V. (NYSE: STM, ISIN: NL0000226223) mit Sitz im Schweizer Genf und Soitec, ein börsennotierter Entwickler und Produzent von Halbleitermaterialien, haben heute eine Kooperation bekannt gegeben.
Soitec mit Unternehmenssitz in Bernin (Frankreich) vertieft die Zusammenarbeit mit STMicroelectronics im Bereich Siliziumkarbid (SiC)-Substrate. Die Qualifizierung der SiC-Substrat-Technologie von Soitec durch ST ist für die nächsten 18 Monate geplant.
Ziel dieser Zusammenarbeit ist die Übernahme der SmartSiC-Technologie von Soitec durch STM für die künftige Herstellung von 200-mm-Substraten, die das Unternehmen bei der Herstellung von Bauelementen und Modulen einsetzen will. Mittelfristig ist zudem eine Serienproduktion vorgesehen.
SmartSiC nutzt die SmartCut-Technologie von Soitec, um eine dünne Schicht eines hochwertigen SiC-"Donor"-Wafers zu spalten und auf einen PolySiC-"Handle"-Wafer mit geringem Widerstand zu kleben.
Das so hergestellte Substrat verbessert die Leistung der Bauelemente und die Produktionsausbeute. Der Wafer kann mehrfach wiederverwendet werden, wodurch der Gesamtenergieverbrauch für seine Herstellung gesenkt wird.
„Der Übergang zu 200-mm-SiC-Wafern wird unseren Automobil- und Industriekunden erhebliche Vorteile bringen, da sie den Übergang zur Elektrifizierung ihrer Systeme und Produkte beschleunigen. Dies ist wichtig, um bei steigenden Produktvolumina Größenvorteile zu erzielen", sagt Marco Monti, President Automotive and Discrete Group bei STMicroelectronics.
„Wir haben uns für ein vertikal integriertes Modell entschieden, um unser Know-how über die gesamte Fertigungskette hinweg zu maximieren, von hochwertigen Substraten bis hin zur groß angelegten Front- und Back-End-Produktion. Das Ziel der Technologiekooperation mit Soitec ist es, unsere Fertigungsausbeute und -qualität weiter zu verbessern."
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