Aixtron: High-Tech Maschinenbauer bringt neue GaN-Anlage für die Produktion von Leistungselektronik auf den Markt

Aixtron S.E. (ISIN: DE000A0WMPJ6) bringt mit der G10-GaN-Anlage eine neue Cluster-Lösung für die Herstellung von Leistungs- und Hochfrequenz (HF)-Bauelementen auf Basis von Galliumnitrid (GaN) auf den Markt.

Das Unternehmen stellt die neue Anlage für die Wafer-Produktion gerade in Asien auf der Semicon Taiwan (6.-8. September 2023) in Taipeh vor.

„Wir sind stolz darauf, dass unsere neue G10-GaN-Plattform bereits von einem führenden US-Produzenten für die Serienproduktion von GaN basierter Leistungselektronik qualifiziert wurde“, sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der Aixtron S.E.

Die neue Anlagengeneration bietet gegenüber der früheren Lösung im Verhältnis zur Fläche im Reinraum eine doppelte Produktivität, so das Unternehmen.

„Wir leben in sehr aufregenden Zeiten, denn GaN Power-Bauelemente spielen eine wichtige Rolle, die weltweiten CO2-Emissionen wesentlich zu reduzieren. Sie bieten eine deutlich effizientere Leistungsumwandlung als herkömmliche Silizium (Si)-Bauelemente. Damit verringern sie die Verluste um den Faktor zwei bis drei. Wir gehen davon aus, dass dieser Markt bis zum Ende des Jahrzehnts und darüber hinaus um den Faktor von bis zu zehn wachsen wird. Bereits heute hat GaN bei Schnelllade-Netzteilen für Mobilgeräte klassisches Silizium ersetzt, und wir sehen eine steigende Nachfrage für Anwendungen in weltweiten Rechenzentren oder bei Solaranlagen“, so Grawert.