STMicroelectronics und Sanan Optoelectronics gründen Joint Venture für die SiC-Produktion in China

STMicroelectronics N.V. (NYSE: STM, ISIN: NL0000226223) mit Sitz im Schweizer Genf, teilte heute mit, in Zukunft mit dem chinesischen Unternehmen Sanan Optoelectronics zusammenzuarbeiten.

Das Unternehmen Sanan Optoelectronics ist Hersteller von Verbindungshalbleitern in China und in den Bereichen LEDs, SiC, optische Kommunikation, RF, Filter und GaN-Produkte tätig.

Beide Gesellschaften gaben heute die Unterzeichnung einer Vereinbarung zur Gründung eines neuen Joint Ventures zur Herstellung von 200-mm-Siliziumkarbid-Bauelementen in Chongqing, China, bekannt.

Die neue SiC-Fabrik soll im vierten Quartal 2025 die Produktion aufnehmen und im Jahr 2028 voll ausgebaut sein, hieß es in einem Statement. Bedienen will man die steigende Nachfrage in China für Elektroautos sowie für industrielle Strom- und Energieanwendungen.

Parallel dazu wird Sanan Optoelectronics eine neue Produktionsstätte für 200-mm-SiC-Substrate errichten und betreiben, um den Bedarf des Joint Ventures zu decken, und dabei sein eigenes SiC-Substratverfahren einsetzen.

Das Joint Venture soll SiC-Bauelemente exklusiv für STMicroelectronics herstellen und als spezielle Foundry für ST fungieren.

Außerdem wird es als spezielle Foundry für STMicroelectronics fungieren, um die Nachfrage seiner chinesischen Kunden zu decken.