STMicroelectronics baut neues Chip-Werk in Italien für 730 Mio. Euro

Die STMicroelectronics N.V. (NYSE: STM, ISIN: NL0000226223) mit Sitz im Schweizer Genf will in Italien eine integrierte Produktionsstätte für Siliziumkarbid (SiC)-Substrate errichten, teilte das Unternehmen mit.

Ziel ist es, die steigende Nachfrage auf Kundenseite nach SiC-Bauelementen für Automobil- und Industrieanwendungen im Zuge des „Übergangs zur Elektrifizierung und der Suche nach höherer Effizienz“ zu bedienen.

Die Produktion in der neuen Anlage wird voraussichtlich im Jahr 2023 anlaufen. Die SiC-Substrat-Fertigungsanlage wird am Standort Catania in Italien neben der bestehenden SiC-Bauelemente-Fertigungsanlage errichtet.

Vorgesehen ist die Massenproduktion von 150-mm-SiC-Epitaxie-Substraten. STM will zudem „in naher Zukunft“ 200-mm-Wafer entwickeln.

STMicroelectronics investiert 730 Mio. Euro über fünf Jahre in die neue Anlage, die vom italienischen Staat im Rahmen des Nationalen Konjunkturprogramms finanziell unterstützt wird. Rund 700 direkte zusätzliche Arbeitsplätze sollen geschaffen werden.

„ST ist dabei, seine globalen Produktionsabläufe mit zusätzlichen Kapazitäten in der 300mm-Fertigung und einem starken Fokus auf Wide-Bandgap-Halbleiter umzugestalten, um sein Umsatzziel von über 20 Milliarden US-Dollar zu unterstützen“, sagt Jean-Marc Chery, President und Chief Executive Officer von STMicroelectronics.