Samsung Electronics: Produktion des weltweit schnellsten DRAM-Chips gestartet
DRAMs
Dienstag, 19. Januar 2016 um 11:52
Der neue DRAM-Chip soll dank der HBM-Lösung sieben Mal schneller als aktuelle DRAMs arbeiten. Speziell im Sektor High-End-Computing soll das HBM2 DRAM für eine schnellere Reaktionszeit bei Rechenaufgaben sorgen.
Der neue DRAM basiert auf Samsungs 20 Nanometer-Prozesstechnologie. Zuvor startete der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung Electronics Co. Ltd. auch die Massenproduktion von neuen Mobile-Chips. (set/rem)
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Meldung gespeichert unter: Dynamic Random Access Memory (DRAM), Samsung, Halbleiter
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