Samsung Electronics: Produktion des weltweit schnellsten DRAM-Chips gestartet

DRAMs

Dienstag, 19. Januar 2016 11:52
Samsung 4GB HBM2 DRAM

NEU DELHI - (IT-Times) - Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung Electronics Co. Ltd. hat die Massenproduktion eines neuen und schnellen DRAM-Chips gestartet.

Es soll das weltweit schnellste DRAM sein: Samsung Electronics hat offiziell mit der Massenproduktion des 4-Gigabyte (GB) DRAM Package mit einer HBM2-Schnittstelle der zweiten Generation begonnen.

Laut einer heutigen Pressemitteilung ist der High-Bandwidth-Speicher besonders für HPC-Anwendungen (High Performance Computing) sowie Enterpise Server geeignet.

Meldung gespeichert unter: Dynamic Random Access Memory (DRAM), Samsung, Halbleiter

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