Infineon erhält Lizenz von International Rectifier

NEUBIBERG - Der Münchner Chipkonzern Infineon Technologies AG (WKN: 623100) hat vom US-Halbleiterunternehmen und Power-Management-Spezialisten International Rectifier Corp. (IR) eine Lizenz zur Nutzung von „DirectFET“, einer Gehäusetechnologie für Halbleiter, erhalten. Im Vergleich zu Kunststoffgehäusen ermöglicht die Metallhülle eine beidseitige Kühlung, wodurch sich die Stromtragfähigkeit von DC-DC- Stromversorgungen verdoppeln lässt.

Infineon will die DirectFET Gehäusetechnologie für die firmeneigenen Halbleiter OptiMOS 2 und OptiMOS 3 einsetzen. Infineon rechnet mit einem Einsatz der DirectFET-Technologie beim OptiMOS 2-Chip im Frühjahr 2008.