Samsung Electronics startet Massenproduktion von 128 GB DDR4-Memorys

Speicherchips

Donnerstag, 26. November 2015 17:44
Samsung DRAM

SEOUL (IT-Times) - Innovation im Alltag: Samsung Electronics Co. Ltd. gab heute bekannt, mit der Massenproduktion von Halbleiterspeichern mit 128 Gigabyte begonnen zu haben.

Die 128-Gigabyte DDR4-Module für Enterprise Serve sind die neueste DRAM-Lösung von Samsung Electronics. Mit der neuen Lösung sollen High-Capacity Speicher alltagstauglich werden.

Die industrieweit ersten DDR4 - (Double Data Rate-4) Memory-Chips mit „Through Silicon Vias“ (TSV) Technologie sind für den Einsatz in Enterprise Servern und Rechenzentren gedacht.

Meldung gespeichert unter: Dynamic Random Access Memory (DRAM), Samsung, Halbleiter

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