Intel und Micron wollen neue NAND-Flashspeicherfabrik bauen

Donnerstag, 15. Juli 2010 um 11:28

Die Spekulationen um die Wiederaufnahme der Pläne erhielten zuletzt neue Nahrung, nachdem Toshiba angekündigt hatte, mit der Konstruktion einer neuen NAND-Flashspeicherfabrik zu beginnen - diese soll im Frühjahr 2011 fertiggestellt sein. Hierfür schloss Toshiba ein Joint Venture Abkommen mit dem Flashspeicherhersteller SanDisk, der für den Betrieb der Anlage verantwortlich zeichnen soll. Auch Samsung Electronic will in diesem Jahr signifikant in sein Speichergeschäft investieren.

Die Kontraktpreise für NAND-Flashspeicher haben sich zuletzt nach Angaben von DRAMeXchange wieder stabilisiert bzw. sind sogar leicht gestiegen. Marktbeobachter gehen allerdings davon aus, dass es durch die Expansionspläne der Speicherhersteller im nächsten Jahr zu einem neuerlichen Preisrutsch bei NAND-Flashspeicher kommen könnte. (ami)

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