Infineon übernimmt Dresdner Startup und Wafer-Spezialisten Siltectra für 124 Mio. Euro

„Diese Akquisition wird uns dabei helfen, unser exzellentes Portfolio auch bei dem neuen Material Siliziumkarbid auszubauen. Unser Systemverständnis sowie einzigartiges Know-how bei der Dünnwafer-Technologie werden ideal durch die Cold Split-Technologie und die Innovationskraft von Siltectra ergänzt“, sagt Dr. Reinhard Ploss, Vorstandsvorsitzender von Infineon.

„Die höhere Verfügbarkeit von SiC-Wafern dank der Cold Split-Technologie wird das Hochfahren unserer SiC-Produkte gerade mit Blick auf den weiteren Ausbau der erneuerbaren Energien und den zunehmenden Einsatz von SiC im Antriebsstrang von Elektrofahrzeugen deutlich erleichtern“, fügte Ploss hinzu.  

„Wir freuen uns sehr darüber, jetzt im Team des globalen Marktführers für Leistungshalbleiter zu sein. Nachdem wir gezeigt haben, dass unsere Cold Split-Technologie bei Infineon verwendet werden kann, arbeiten wir nun gemeinsam an der Einführung in die Serienfertigung“, fügte Dr. Jan Richter, CTO von Siltectra, hinzu.

„Wir haben seit unserem Einstieg bei Siltectra vor mehr als acht Jahren immer an die Cold Split-Technologie und an das großartige Team geglaubt. Dass wir mit Infineon einen Käufer gefunden haben, der sowohl technologisch als auch kulturell ideal zu Siltectra passt, freut uns besonders“, sagt Michael Motschmann, General Partner MIG AG.

Die Weiterentwicklung der Cold Split-Technologie soll am bisherigen Siltectra-Standort in Dresden sowie am österreichischen Infineon-Standort in Villach erfolgen. Die Massenfertigung ist innerhalb der nächsten fünf Jahre geplant.

Im Vorfeld hatte sich Infineon bereits langfristig Siliziumkarbid-Wafer von Cree für Anwendungen in den Bereichen Elektromobilität, PV und Industrie gesichert. In Zukunft will man von Trends wie Autonomes Fahren, Elektromobilität, Erneuerbare Energien und IoT profitieren. (lim/rem)