Hynix wird zweigrößter Investor bei ProMOS
Um neue Expansionsvorhaben zu finanzieren, hatte ProMOS 576 Mio. neue Aktien zum Stückpreis von 6,0 Neuen Taiwan-Dollar ausgegeben. Diese Mittel will ProMOS unter anderem dafür einsetzen, um eine neue 54nm DRAM-Produktionsanlage im Dezember 2008 in Betrieb zu nehmen. Die Volumenproduktion soll dann im ersten Quartal 2009 starten. ProMOS ist damit einer der ersten Halbleiterkonzerne, der im DRAM-Bereich über dieses Produktionsverfahren verfügt.
Die Mehrheit der DRAM-Hersteller in Taiwan produziert nach wie vor in der Größe von 70nm. Konkurrenten wie Powerchip Semiconductor Corporation (PSC), Nanya Technology und Micron Technology wollen erst später nachziehen. (ami)
- Zurück
- Weiter
Meldung gespeichert unter: SK Hynix, Halbleiter
© IT-Times 2024. Alle Rechte vorbehalten.