Hynix wird zweigrößter Investor bei ProMOS

Montag, 18. August 2008 um 17:26

Um neue Expansionsvorhaben zu finanzieren, hatte ProMOS 576 Mio. neue Aktien zum Stückpreis von 6,0 Neuen Taiwan-Dollar ausgegeben. Diese Mittel will ProMOS unter anderem dafür einsetzen, um eine neue 54nm DRAM-Produktionsanlage im Dezember 2008 in Betrieb zu nehmen. Die Volumenproduktion soll dann im ersten Quartal 2009 starten. ProMOS ist damit einer der ersten Halbleiterkonzerne, der im DRAM-Bereich über dieses Produktionsverfahren verfügt.

Die Mehrheit der DRAM-Hersteller in Taiwan produziert nach wie vor in der Größe von 70nm. Konkurrenten wie Powerchip Semiconductor Corporation (PSC), Nanya Technology und Micron Technology wollen erst später nachziehen. (ami)

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