Samsung: Inbetriebnahme von Flash-Speicher-Fabrik in China

Flash-Memory-Chips

Freitag, 9. Mai 2014 17:12
Samsung Unternehmenslogo

SEOUL (IT-Times) - Samsung fokussiert sich weiter auf die Memory-Halbleiter-Technologie. Wie der südkoreanische Elektronikkonzern bekanntgab, wurde heute im chinesischen Xi’an eine neue Fertigungsstätte in Betrieb genommen.

Die neue Produktionslinie wird zukünftig 3D V-NAND Flash-Memory-Chips fertigen. Die Konstruktion der  rund 230.000 Quadratmeter großen Fabrik hatte im September 2012 begonnen. Bis zu 100.000 12-Zoll Wafer sollen in der rund acht Mrd. US-Dollar teuren Anlage monatlich hergestellt werden. Die Testphase soll Ende dieses Jahres abgeschlossen sein. Schon seit letztem Jahr produziert Samsung die 3D V-NAND Flash-Memory-Chips - allerdings ohne diese in den Endprodukten des Unternehmens zu nutzen. Die Eröffnung der Fabrik in China ist ein weiterer Schritt des Elektronikkonzerns, um die Vormachtstellung in der Memory-Chip-Technik zu sichern.

Meldung gespeichert unter: Samsung

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