Micron Technology schließt zu Samsung und Toshiba auf

NAND-Speicher

Freitag, 21. September 2012 um 18:07

Marktführer Samsung präsentierte vergangene Woche seine nächste Generation an NAND-Flashs. Statt der bisherigen maximalen Speicherkapazität von 64 Gigabyte haben die NAND-Flashs der neuen Generation ein maximales Speichervolumen von 128 Gigabyte. Der Rivale Toshiba musste im Juli dieses Jahres bekannt geben, dass er die Produktionskapazitäten bei NAND-Flashs um 30 Prozent kürzen wolle. (pst/rem)

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