Infineon erweitert Entwicklungszentrum

Der Ausbau des Entwicklungszentrums soll bis Anfang 2005 fertiggestellt werden. In der Erweiterung sind die Errichtung eines neuen Gebäudekomplexes mit 2300 Quadratmetern Reinraumfläche und entsprechenden Flächen für die technische Infrastruktur und Büros enthalten. Es sollen dort innovative Speicherkonzepte und Fertigungsprozesse auf 300-mm-Wafern für die Herstellung zukünftiger Speichergenerationen entwickelt werden. Das Unternehmen will damit seine Marktposition im weltweiten Wettbewerb um die nächsten Halbleitergenerationen weiter ausbauen. (mha)

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