Epson entwickelt neues Material für FeRAM

Dienstag, 2. September 2003 um 11:20

FeRAM ist mehr als 200 Mal so schnell wie Flashspeicher und speichert Daten mittels Schwankungen in magnetischen Feldern. Wie bei Flashspeicher bleiben Daten gespeichert, auch nachdem das Gerät abgeschaltet wurde. PZTN soll 90 Prozent weniger Strom verbrauchen als Flashspeicher. Epson sieht Mobilfunkgeräte und IC-Karten als Einsatzgebiete. (jwd)

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