Aixtron und Infineon sind Partner im EU-Forschungsprojekt „UltimateGaN“ für die Entwicklung hocheffizienter Energiesparchips
Halbleiter: Chip-Entwicklung in der EU
Das Forschungsprojekt der Europäischen Union läuft unter der Bezeichnung „UltimateGaN“ und steht für Research for GaN technologies, devices and applications to address the challenges of the futureGaN Roadmap.
Das Konsortium soll Leistungshalbleiter der Zukunft, i.e.S. effizientere Chips für CO2-Einsparung, Erneuerbare Energien und Elektromobilität entwickeln. Neben Aixtron sind weitere 25 Unternehmen und Institutionen aus neun Ländern am Projekt als Partner beteiligt.
In den kommenden drei Jahren soll an energiesparenden Chips auf Basis des Halbleitermaterials Galliumnitrid (GaN) akribisch geforscht werden. Ziel der Europäischen Union ist es, in Zukunft eigene Leistungshalbleiter zu global wettbewerbsfähigen Kosten für eine Vielzahl von Anwendungen bereitzustellen.
Die EU hat insgesamt rund 48 Mio. Euro in das Projekt UltimateGaN gesteckt, die Mittel kommen aus Industrie, beteiligten Ländern sowie dem ECSEL Joint Undertaking (Electronic Components and Systems for European Leadership).
Da der weltweite Energiebedarf immer weiter steigt, müssen die Emissionen wegen des Klimawandels gesenkt werden. Energiesparchips aus neuen Materialien wie Galliumnitrid werden daher eine große Zukunft vorhergesagt.
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