Aixtron: Maschinenbauer meldet Auftrag für Reaktoranlage aus den USA für Forschungszwecke der Boise State University

Die Aixtron S.E. (ISIN: DE000A0WMPJ6) teilte heute mit, über das Tochterunternehmen Aixtron Ltd. eine Depositionsanlage (CCS) für Verbindungshalbleitermaterialien an die Boise State University zu liefern.

Die Anlage, die an Universität Boise geliefert wird, hat eine Kapazität von 3x2" Wafern und eine Betriebstemperatur von bis zu 1.400 C. Damit wird die Abscheidung von Graphen und hBN auf Saphir sowie neuartige Strukturen für GaN-basierte UV-LEDs ermöglicht.

Die Boise State University kann mit der Reaktoranlage 2D-Materialien abscheiden, um Hybridelektronik auf Basis von 2D-3D-Heterostrukturen zu ermöglichen, die zur Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet werden.

„Die Aixton-Anlage ist ein wichtiger Bestandteil des Ausbaus unserer Forschungsinfrastruktur. Die Aixtron Close Coupled Showerhead MOCVD-Anlage ist in der Lage, sowohl Halbleitermaterialien auf atomarer Ebene als auch herkömmliche Halbleiterschichten im Wafermaßstab zu erzeugen", sagt David Estrada, stellvertretender Direktor des Boise State Center for Advanced Energy Studies und Professor an der Micron School of Materials Science and Engineering.