Aixtron: High-Tech Maschinenbauer bringt neue Anlage für Siliziumkarbid-Bauelemente auf den Markt

Maschinenbau: Halbleiterausrüstung

Dienstag, 13. September 2022 um 08:51

HERZOGENRATH (IT-Times) - Der deutsche Halbleiter-Maschinenbauer Aixtron hat heute bekannt gegeben, eine neue Planetenanlage für Siliziumkarbid-Bauelemente („SiC") auf den Markt zu bringen.

Aixtron Schriftzug

Die Aixtron S.E. (ISIN: DE000A0WMPJ6) hat heute in Davos, Schweiz, die G10-SiC 200 mm Anlage der nächsten Generation für Siliziumkarbid-Epitaxie auf 150/200 mm SiC-Wafern vorgestellt.

Mit dem Hochtemperatur-CVD-System können Siliziumkarbid-Bauelemente hergestellt werden. SiC, ein Materialsystem mit großer Bandlücke (wide-band-gap), soll die Mainstream-Technologie für effiziente Leistungselektronik werden.

SiC-basierte Leistungshalbleiter werden zunehmend unter anderem in der Elektromobilität eingesetzt, sodass die weltweite Nachfrage nach SiC-Wafern rasant ansteigt.

Das neue G10-SiC-System von Aixtron baut auf der bestehenden G5 WW C 150 mm-Plattform auf und bietet eine flexible Konfiguration mit zwei Wafer-Größen: 9x150 und 6x200 mm.

Diese Funktion unterstützt die Entwicklung der SiC-Industrie von derzeit 150 mm (6 Zoll) auf 200 mm (8 Zoll) Wafer-Durchmesser und verschiedene Bauelemente-Strukturen, inkl. Einzel- und Doppeldriftschichtstrukturen.

Meldung gespeichert unter: Metal-Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD), Hightech Maschinenbau, Wafer, Aixtron, Halbleiter

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