Aixtron: High-Tech Maschinenbauer bringt neue Anlage für Siliziumkarbid-Bauelemente auf den Markt
Maschinenbau: Halbleiterausrüstung
Die Aixtron S.E. (ISIN: DE000A0WMPJ6) hat heute in Davos, Schweiz, die G10-SiC 200 mm Anlage der nächsten Generation für Siliziumkarbid-Epitaxie auf 150/200 mm SiC-Wafern vorgestellt.
Mit dem Hochtemperatur-CVD-System können Siliziumkarbid-Bauelemente hergestellt werden. SiC, ein Materialsystem mit großer Bandlücke (wide-band-gap), soll die Mainstream-Technologie für effiziente Leistungselektronik werden.
SiC-basierte Leistungshalbleiter werden zunehmend unter anderem in der Elektromobilität eingesetzt, sodass die weltweite Nachfrage nach SiC-Wafern rasant ansteigt.
Das neue G10-SiC-System von Aixtron baut auf der bestehenden G5 WW C 150 mm-Plattform auf und bietet eine flexible Konfiguration mit zwei Wafer-Größen: 9x150 und 6x200 mm.
Diese Funktion unterstützt die Entwicklung der SiC-Industrie von derzeit 150 mm (6 Zoll) auf 200 mm (8 Zoll) Wafer-Durchmesser und verschiedene Bauelemente-Strukturen, inkl. Einzel- und Doppeldriftschichtstrukturen.
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