Aixtron gewinnt neuen US-Auftrag

Dienstag, 24. November 2009 um 17:01

Mit Hilfe der MOCVD-Anlage will HRL die eigene Entwicklungsarbeit auf dem Gebiet von modernen GaN-Technologien verbessern und vorantreiben. Dazu gehöre etwa die Herstellung von GaN-Strukturen für Millimeterwellen-Leistungsanwendungen oder GaN-Hochspannungstransistoren. GaN ist dabei das Kürzel für Galliumnitrid. Finanzielle Details des aktuellen Auftrages gab Aixtron indessen nicht bekannt.

Die Aixtron AG ist ein Anbieter von Depositions-Anlagen für die Halbleiterindustrie. Die Produkte des Unternehmens werden international vertrieben und kommen zur Herstellung von elektronischen und opto-elektronischen Bauelementen zum Einsatz. Diese können dabei auf Basis von Verbindungs-, Silizium- und organischen Halbleitermaterialien sowie auf Kohlenstoff-Nanostrukturen basierend gefertigt werden. Die so hergestellten Bauelemente kommen unter anderem in der Display-Technik sowie bei Glasfaser-Kommunikationsnetzen zur Anwendung. (kat/rem)

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Meldung gespeichert unter: Aixtron, Halbleiter, Hardware

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