Aixtron erhält Auftrag von Fraunhofer Institut

Ziel ist es seitens des Fraunhofer Institutes, mit der neuen Anlage Leistungsanwendungen auf Siliziumkarbid (SiC)-Substraten unter anderem für den Hochfrequenzbereich herstellen. Diese sollen dann die kommerzielle Verfügbarkeit von GaN-Bauelementen vorantreiben. Dr. Klaus Koehler vom Fraunhofer Institut sieht in der nun georderten Anlage eine deutliche Erweiterung der eigenen Möglichkeiten. Finanzielle Details des Auftrages wurden indessen nicht mitgeteilt.

Die Aixtron AG ist ein Anbieter von Depositions-Anlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen ist dabei international tätig und beliefert Hersteller von Bauelementen für elektronische und opto-elektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungs-, Silizium- und organischen Halbleitermaterialien sowie Kohlenstoff-Nanostrukturen. Diese Produkte kommen unter anderem in der Displaytechnik, der Signal- und Lichttechnik oder im Bereich Glasfaser-Kommunikationsnetzen zur Anwendung (kat/rem)